4月20日下午，我院特邀浙江大学焦琳研究员作题为《SmB6的拓扑表面态产生自旋极化的隧穿电流》的学术报告。

焦琳教授利用聚焦离子束设备将SmB6纳米线制备成扫描隧道显微镜（STM）的探针。利用SmB6纳米线探针，测量了反铁磁金属Fe1.03Te的表面形貌，检测到材料的自旋结构，且Fe1.03Te表面的自旋条纹随着SmB6纳米线偏压的反转而反转，相比普通自旋极化的STM探针并不能通过改变正负偏压来探测不同的电子自旋态，说明SmB6的拓扑表面态可以在无外加磁场的情况下，区分相反朝向的自旋结构。他报告声明狄拉克电子的隧穿几率与其自旋/动量取向密切相关，可以基于这一性质设计新型自旋电子学器件。

在场师生对报告中研究的内容和一些奇异物理现象产生了极大的兴趣，就报告中的物理问题同焦琳教授进行了探讨交流。报告结束后，谈论的氛围依旧火热，同学们踊跃提问，焦琳教授耐心给予解答，同时他也表达了自己对杭师大学生将来攻读博士学位的愿望。