时间：10月16日（周三）13:30

地点：勤园20-518

报告摘要：

石墨烯纳米带(GNRs)被认为是下一代电子材料中最有前途的材料之一，但目前还缺乏一种可靠、可控的合成方法。本文报道了GNRs在铜表面的CVD生长及其相应的生长机理。一维GNR的生长是由汽-液体-固体(VLS)石墨烯在液体催化剂颗粒表面的引导下生长实现的。通过调节生长过程中H2的流动，控制沿GNR宽度方向的汽-固体-固体(VSS)石墨烯生长的抑制，产生矛状石墨烯被称为石墨烯纳米矛(GNSs)。实时的视觉和空间分辨观察证实，石墨烯的VSS生长可以被抑制，并导致铜表面形成GNR或GNS。综合场效应晶体管(FET)器件的电子特性测量表明，GNRs和GNSs具有高达约2000 cm-2 V-1 s的高载流子迁移率。FET和开尔文探针力显微镜(KPFM)的测量都证实了合成GNSs的费米能级从粗部分向下移动到尖端或窄部分的强p型掺杂作用。这些发现揭示了石墨烯生长机制的关键，并为实现一种简易和可扩展的方法合成独立的GNRs和GNSs及其应用(如费米级可调谐器件)打开了一扇门。

关键词：二维材料；石墨烯纳米带；化学气相沉积法；生长机理

图1. 利用原位扫描电镜观察石墨烯纳米带的生长动力学过程.

参考文献：

[1] H. B. Sun, X. Kong, H. J. Park，et al., Adv. Mater., 34 (2022) 12107587.

[2] H. B. Sun, F. N. Liu, L. N. Zhang, et al., Adv. Funct. Mater., 32 (2022) 2206961.

报告人简介：

孙海斌，信阳师范大学物电学院教授，博士生导师。主要从事低维纳米材料的制备及其在光电器件、储能器件等方面的应用。主持完成国家自然科学基金面上项目 2 项，省自然科学基金面上项目、省高校科技创新团队项目、省留学生择优资助项目、省科技攻关项目等各 1 项。获得省高等学校青年骨干教师、省教育厅学术技术带头人、市拔尖人才等荣誉称号。在国内外重要期刊 Adv. Mater., Adv. Funct. Mater., Mater. Today., Appl. Phys. Lett., 等发表高水平论文 20 余篇，授权国家发明专利 4 项；指导硕士研究生 8 名，其中获得国家奖学金、省学业奖学金、省优秀毕业生等荣誉。